少子
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不同沉积方式制备的氮化硅膜对多晶硅太阳电池的影响
脉冲激光沉积方法制备太阳电池材料硫化锡及其性质的研究胡洁 张宝增 王鑫波 庞海涛摘要：基于电阻率为1.8Ω·cm的P型多晶硅..
2018-08-28 10:47
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PECVD沉积压强对太阳电池转换效率的影响
赵学玲+马红娜+张红妹摘要：利用平板式等离子增强化学气相沉积（PECVD）法，在反应温度为300℃，NH3：SiH4比例为3：1和沉积压..
2018-08-10 20:16
脉冲激光沉积方法制备太阳电池材料硫化锡及其性质的研究胡洁 张宝增 王鑫波 庞海涛摘要：基于电阻率为1.8Ω·cm的P型多晶硅..
2018-08-28 10:47
赵学玲+马红娜+张红妹摘要：利用平板式等离子增强化学气相沉积（PECVD）法，在反应温度为300℃，NH3：SiH4比例为3：1和沉积压..
2018-08-10 20:16
